机译:SiO / GaAs界面上费米能级钉扎的直接和间接原因
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; WAVE BASIS-SET; TOTAL-ENERGY CALCULATIONS; GAAS(110) SURFACE; GAAS MOSFET; ELECTRICAL CHARACTERISTICS; ELECTRONIC-STRUCTURE; GAAS(001) SURFACES; STATE DENSITY;
机译:SiO / GaAs界面上费米能级钉扎的直接和间接原因
机译:GaAs /氧化物界面缺陷处的费米能级钉扎:密度泛函研究
机译:GaAs表面和界面的费米能级钉扎的起源
机译:在111 B生长的InGaAs / GaAs异质结构中直接测量压电场和费米能级
机译:通过电荷转移掺杂实现钙钛矿和电子传输层界面的费米能级工程
机译:通过在绝缘GaAs / AlGaAs量子阱的界面处插入超薄InAs层来调整Rashba / Dresselhaus自旋分裂
机译:退火对au-si和au-Gaas界面的费米级钉扎和电流传输的影响