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机译:纳米级氧化钛双层电阻开关器件的模拟存储和依赖于峰值定时的可塑性特性
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机译:调整基于双层过渡金属氧化物的忆阻突触的模拟电阻切换和可塑性
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机译:基于金属氧化物电阻切换存储器的纳秒级时标实现与不同的时间相关的可塑性
机译:基于五氧化二铜-铂金器件结构的纳米交叉电阻开关存储器的制作
机译:使用高Ge含量的Ge0.5Se0.5固体电解质增强的纳米电阻开关记忆特性和开关机制
机译:内存设备:在栅极控制双层石墨烯 - 电极电阻存储器件中的开关窗口的原位调整(ADV。Mater。47/2015)