Электрические и термоэлектрические свойства халькопирита на основе CuInSe_2

摘要

Установлено, что халькопирит CuInSe_2 является полупроводником примесного типа с более сложной зависимостью электропроводности от температуры, нежели у обычных примесных полупроводников. Такая температурная зависимость электропроводности обусловливается сложной структурой энергетического спектра электронов в этих кристаллах. Из температурной зависимости электропроводности определены значения энергий активации энергетических уровней собственных дефектов, которые образуются при нарушении стехиометрического состава структуры CuInSe_2. Из анализа температурной зависимости термоэдс установлено, что при высоких температурах основным механизмом рассеяния является рассеяние на акустических фононах.