Образование высокоспиновых молекулярных кластеров марганца в монокристаллической матрице кремния и связанное с ними положительное

摘要

Приводятся экспериментальные результаты изучения фотоэлектрических свойств и магнитосопротивления монокристаллических образцов кремния, имплантированных ионами марганца. Имплантация ионов марганца на полированную поверхность кремния p-типа (с удельным сопротивлением ρ =10 Ом·см при Т= 300 К) осуществлялась на установке ИЛУ-3 при энергии ионов 40 кэВ с дозой имплантации ～10{sup}16 ион/см{sup}2. Из пластин вырезались образцы размерами 5×3×0,3 мм{sup}3 и отжигались в атмосфере аргона при температуре 1000-1200℃ в течение одного часа. После отжига удельное сопротивление образцов ρ ～ 10{sup}5 Ом·см при Т= 300 К n-типом проводимости. Исследование фотоэлектрических свойств и магнитосопротивления полученных образцов позволяет сделать вывод о том, что в них образуются магнитные кластеры, подобные Mn{sub}6, Mn{sub}12 в кристаллической решетке кремния.