OCT光源応用を目指した自己組織化InAs量子ドットベース近赤外広帯域光源

摘要

医療用光断層イメージング技術（OCT）の高性能化に寄与する光源開発を目的とし、GaAs基板上の自己組織化InAs量子ドットを用いた広帯域光源を作製した。発光中心波長を制御した多波長のQDを活性層に含有するpn接合GaAs基板をMBE法により成長し、リッジ型導波路形成および電極蒸着によって電流注入型導波路端面発光デバイスを作製した。EL測定の結果、注入電流の増加に伴って量子ドットの高次準位間の発光が寄与し、発光中心波長が約1.2μmに短波長化した。また、スペクトル形状はガウシアン形状に近づき、帯域幅約85mmが得られた。このスペクトルのコヒーレンス関数から、OCT光源として利用した場合の光軸分解能は約6.5μmと見積もられ、また、ガウシアンに近いスペクトル形状を反映した低ノイズなOCT画像取得が期待される。