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【24h】

InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性一半導体光増幅器の実現に向けて-

机译:InAs / GaAs柱状量子点的光增益偏振特性-半导体光放大器的实现-

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摘要

コラムナ量子ドットの光学利得をVSL(Variable Stripe Length)法を用いて測定した。 コラムナ量子ドットはStranski-Krastanow成長モード]nAs島層を密接に積層し成長させた量子ドットである。 この積層数を変化させることにより量子ドットのアスペクト比を制御することが出来る。われわれはコラムナ量子ドットの光学利得の積層数依存性について詳細に調べた。 その結果、積層数が増加するにつれ、TMモードに高感度な利得特性を示すことが明らかになった。 また、量子ドットの積層数7層でTE、TMのモードに対してほぼ等方的な利得特性を示すことを見出した。
机译:柱状量子点的光学增益使用VSL(可变条纹长度)方法测量。柱状量子点是通过紧密堆叠Stranski-Krastanow生长模式nAs岛层而生长的量子点。量子点的纵横比可以通过改变层数来控制。我们详细研究了柱状量子点光学增益的堆积数依赖性。结果表明,随着层数的增加,TM模式表现出高灵敏度的增益特性。我们还发现,相对于TE和TM模式,7层量子点表现出几乎各向同性的增益特性。

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