半導体光増幅器の利得飽和を用いた下流再変調方式WDM-PONの広帯域化に関する実験的検討

摘要

WDM-PONにおける光回線終端装置には、任意の波長に対応できるカラーレス化が必要とされている。半導体光増幅器（SOA）を用いて下流信号の信号成分を抑圧し、上流信号として利用する下流再変調方式が提案されているが、SOAのキャリア寿命のため数G毎S以上の信号には適用できない。これに対し筆者らは、ファブリぺロエタロンによる高域遮断特性とSOAの利得飽和による低域抑圧特性を利用して、広帯域な変調信号抑圧を可能にする下流再変調方式を提案している。本論文では、伝送速度10Gbpsの信号を用いた提案手法の実証実験について述べる。その結果、下り信号の消光比5dBのとき、3.7dBの下り信号の抑圧が可能であった。また、抑圧後の下り信号を再変調して上り信号を生成し、下り·上り信号の符号誤り率を測定した。この結果、下り信号の消光比が大きいほど抑圧量が減少し、上り信号のペナルティが増加することがわかった。