首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. VLSI設計技術. VLSI Design Technologies >キャッシュヒット率の向上のための基本ブロックのアドレスオフセットの探索
【24h】

キャッシュヒット率の向上のための基本ブロックのアドレスオフセットの探索

机译:搜索基本块的地址偏移以提高高速缓存命中率

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

本稿では,プログラムの基本ブロックの前にキャッシュブロックサイズよりも細かい単位でオフセットを挿入することにより,命令メモリのキャッシュミスを削減する手法を提案する.本手法では,キャッシュシミュレーションに基づいて,キャッシュミス数を最小化するオフセットの組み合わせを求める,可能なオフセットの組み合わせを全探索すると,オフセット挿入箇所の指数に比例する計算時間が必要になるため,本稿ではシミュレーテッドアニーリングにより解の探索を行う.1レベルのダイレクトマッピングキャッシュを想定し,7つのベンチマークに対して,実験を行ったところ,30箇所のオフセット挿入によって平均約10%のキャッシュミスを削減することができた.
机译:在本文中,我们提出了一种通过在程序基本块之前插入一个小于缓存块大小的单元来减少指令存储器中缓存丢失的方法。在这种方法中,基于高速缓存模拟获得了使高速缓存未中次数最少的偏移量组合,如果搜索了所有可能的偏移量组合,则需要与偏移量插入点指数成正比的计算时间。现在,通过模拟退火搜索解决方案。假设使用一级直接映射缓存,则针对七个基准进行了实验,并且可以通过在30个位置插入偏移量来平均将缓存未命中率降低约10%。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号