相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計

摘要

相変化不拝発性メモリ（PRAM）における新しい多値化記憶の手法と回路を提案する．PRAMは，記憶素子としてカルコゲナイド半導体を用いる．私達はカルコゲナイド半導体としてSe15Sb15Te7。 を用いたメモリセルにおいて，電流パルスの印加回数に対し素子抵抗が段階的に変化することを実験的に確認した．その結果を用いて，8段階に素子抵抗が変化するメモリセル（3bit／cell）を仮定して0．35－umCMOSテクノロジーを用いて，3bit多値のメモリ回路を設計した．回路シミュレーションにて，1024×512のメモリセルアレイを仮定して読み出し時間が，50ns　 最大書き込み時間が4．2usの結果を得た．