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[招待講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持っ電圧制御スピントロニクスメモリ-(Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM)

机译:[特邀演讲]超低能耗高密度VoCSM,具有超低能耗和高集成度

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摘要

TMR効果に加えて新しく二つのスピントロニクス原理を用いた電圧制御スピントロニクスメモリアーキテクチャを提案しました。このアーキテクチャでは、書込みビットの選択に電圧制御磁気異方性効果を、書込み原理としてスピンホール効果を用います。そのプロトタイプ記憶素子を開発し、独特な書込み方式の成立性を実証しました。
机译:除了TMR效应外,我们还提出了一种使用两种自旋电子学原理的新型电压控制自旋电子学存储体系结构。该体系结构使用电压控制的磁各向异性效应进行写位选择,并使用自旋孔效应作为写原理。我们开发了原型存储元件,并演示了独特写入方法的可行性。

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