Радиационная стойкость арсенида галлия. I. Быстрые нейтроны и протоны

摘要

Представлены результаты исследования стойкости эпитаксиального и имплантированного кремнием арсенида галлия при облучении быстрыми нейтронами и протонами с энергиями от 5 до 65 МэВ. Исследования выполнены на приборных структурах, диодах Ганна, диодах с барьером Шоттки и полевых транзисторах Шоттки. Установлены соотношения, описывающие изменение концентрации электронов и юс подвижности при облучении, которые позволяют прогнозировать стойкость приборов. Сопоставлена стойкость эпитаксиального и имплантированного арсенида галлия при различных условиях облучения. Показано, что оптимальные режимы изготовления приборов не вносят заметного вклада в их радиационную стойкость.