Исследована динамика развития квазигексагональной структуры пор при анодном травлении изотропной поверхности кремния. Показано, что сформированный на первой стадии глубокого анодного травления (ГАТ) квазигексагональный порядок расположения пор не изменяется в ходе дальнейшего проведения процесса в идентичных режимах. Экспериментально продемонстрирована методика, позволяющая осуществлять ГАТ одноосно напряженных пластин. Исследовано влияние величины одноосных напряжений на порядок расположения ансамбля затравочных центров на поверхности в процессе первой стадии ГАТ. Установлено, что с увеличением величины приложенных напряжений происходит трансформация квазигексагональной схемы расположения пор на травящейся поверхности в периодически повторяющуюся одномерную, а при значительном увеличении нагрузки - в щелевую структуру пор. Для одноосных напряжений сжатая характерно формирование квазиодномерных, а при значительных нагрузках и квазищелевых структур.
展开▼