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【24h】

コンタクトヘッドの摩耗低減

机译:减少接触头磨损

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摘要

磁気ディスク記憶装置では,記録密度100 Gb/in~2を実用化の域に収め,現在では1 Tb/in~2の密度を実現するための開発が進められている.これまでの記録密度向上は,Fig.1に示すようにヘッド.ディスク間隔(浮上スペーシング)の低減に支えられている1 Tb/in~2の記録密度を実現するためには,磁気記録媒体と磁気ヘッド素子との間の磁気スペーシングを6 nm程度に短縮する必要があると予測されている.この磁気スペーシング中には,摩耗/腐食防止のためのヘッドおよびディスクの保護膜が存在するため,機械的スペーシングは3.5nm程度に低下する.
机译:对于磁盘存储设备,已将100 Gb / in〜2的记录密度投入实际使用,并且目前正在进行开发以实现1 Tb / in〜2的密度。如图1所示,为了实现1Tb / in〜2的记录密度,并通过减小磁头盘间隔(浮动间隔)来支持,使用了磁记录介质和磁头元件。预计它们之间的磁距需要缩短到6 nm左右,在此磁距期间,磁头和磁盘上有一层保护膜以防止磨损/腐蚀,因此机械间距为起搏下降至约3.5 nm。

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