MHz帯平面スパイラルインダクタの高性能化

摘要

MHz帯駆動のスパイラルインダクタの設計及び試作を行い，以下の結果を得た．①電磁界シミュレ一ションによる平面インダクタの特性解析を行い，上下磁性体の閉磁路効果を検討した結果,少ないターン数でLを得ることができ，さらにコイルAC抵抗を低減することが可能であることを見出した．②磁性体の渦電流分布を解析し，磁性体分割が渦電流損失の抑制に有効であることが分かった.③電磁界シミュレーションによる設計に基づく試作を行い，周波数5MHzにおいて，L=0.9μH，R=2.0Ω (R_(DC)=1.1Ω，R_(AC)=0.9Ω)，Q=14.5，I_(bias)=0.55Aの特性を有するインダクタを得た.④導体ラインの厚膜化により性能指数(Q)の向上が可能であり，導体膜厚29μmで5MHzにおけるQが20を有するインダクタを得ることができた．