Лазерно-плазменный источник ионизирующих излучений для моделирования радиационного воздействия на материалы и элементы микроэлектроники

摘要

Измерены характеристики рентгеновских и гамма импульсов, а также импульсных протонных потоков, генерируемых при воздействии на жидкую галлиевую мишень и на молибденовую мишень фемтосеку ндных импульсов лазера с длиной волны 800 нм и интенсивностью излучения на мишени 10~(18)Вт-см~(-2). Оценочные расчеты показали принципиальную возможность применения подобных источников ионизирующего излучения для экспериментального моделирования радиационных эффектов одиночных сбоев в современных элементах микроэлектроники с высокой степенью интеграции.