ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ АРСЕИИДА ГАЛЛИЯ С ПОВЕРХНОСТЬЮ, МОДИФИЦИРОВАННОЙ ОКСИДАМИ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ

摘要

В работе рассмотрены особенности взаимодействия наноразмерных пленок оксидов никеля и кобальта, нанесенных на подложку GaAs, с поверхностью подложки при термическом окислении. Выявлен механизм действия исследуемых оксидов на процесс термооксидирования полупроводника, на состав и свойства сформированных в результате окисления многокомпонентных слоев. Установлена специфика действия оксидов переходных металлов в рассматриваемых процессах по сравнению с оксидами р-элементов (Bi2O3 и PbO). Предложены схемы развития процессов, развивающихся на межфазной границе раздела оксид металла-арсенид галлия.