InGaN系青色LEDと黄色発光蛍光体から構成される白色LEDが既に実用化されているが，演色性に富み，色温度の設計幅の大きい，近紫外(NUV: Near Ultra-Violet)-LEDと赤色/緑色/青色の3波長型の蛍光体とを組合せて実現する白色LEDが，照明用白色LEDとして期待されている。 当社では，縞状の溝を形成したサファイア加工基板上への結晶成長技術(LEPS: Lateral Epitaxy on a Patterned Substrate)を開発し，NUV-LEDへ応用した。更に，スタンレー電気㈱殿と共同でNUV-LEDを励起光源に使った3波長蛍光体型白色LEDを試作した。 LEPS法の導入により，転位「密度は約1.5×10{sup}8cm{sup}(-2)に減少し，NUV-LEDの発光出力は15.6mW，外部量子効率は約24％であった（発光中心波長382nm，Flip-Chip実装，室温，20mA）。 このNUV-LEDを用いて3波長蛍光体型白色LEDを作製し，発光効率8.2lm/W，平均演色評価数86～90，色温度6900～7600Kを得た（室温20mA）。
展开▼
机译：由基于InGaN的蓝色LED和发黄光的荧光粉组成的白色LED已经投入实际使用，但是它具有多种色温设计，例如近紫外（NUV）-LED。通过组合红色/绿色/蓝色三波长磷光体实现的白色LED有望用作照明用白色LED。我们已经在具有条纹凹槽的蓝宝石加工基板上开发了一种晶体生长技术（LEPS：在图案基板上的横向外延），并将其应用于NUV-LED。此外，我们与斯坦利电气有限公司合作，对使用NUV-LED作为激发光源的3波长磷光体型白色LED进行了原型设计。随着LEPS方法的引入，重排“密度降低到约1.5 x 10 {sup} 8 cm {sup}（-2），NUV-LED的发射输出为15.6 mW，外部量子效率约为24％（“发射中心波长382 nm，倒装芯片安装，室温20 mA）。使用该NUV-LED制造了一种3波长磷光体型白色LED，发射效率为8.2 lm / W，平均色彩性能评估值为86至90，色温为6900。获得〜7600K（室温20mA）。
展开▼
