トランジスタ構造内二次元プラズモンを用いたサブテラヘルツ/テラヘルツデバイス

摘要

トランジスタ構造内二次元プラズモンを用いた二種類のサブテラヘルツ（THz）/THzデバイス，非対称二重格子ゲートInP HEMTによる検出および非対称二重格子ゲート·グラフェンFETによる発振，について近年の研究動向を紹介する．非対称二重格子ゲートInP HEMTについては，動作原理，内因的検出感度の広帯域特性，外部検出感度向上のための方法を述べる．非対称二重格子ゲート·グラフェンFETについては，動作原理ならびに巨大プラズモン不安定性発現のシミュレーションによる予測について述べる．