机译:具有无界Toffoli和扇出门的经典模拟量子电路的硬度
机译:无约束的托菲和扇形门对经典模拟量子电路的难度
机译:通过量子信息概念对经典可逆电路中托菲利门数量的下界
机译:量子加法电路和无约束扇出
机译:具有无界Toffoli和扇出门的经典模拟量子电路的硬度
机译:具有无限扇入门的恒定深度布尔电路的可满足性算法。
机译:通过Toffoli量子门的经典逻辑整体型扩展
机译:通过量子信息概念对经典可逆电路中托菲里门数量的下界
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响