Показано, что подсветка омических контактов к высокоомным образцам теллурида кадмия и арсенида галлия влияет не только на переходное сопротивление контакта, но и на объемную проводимость образцов за счет повышения концентрации свободных носителей заряда. Приведена модель, объясняющая увеличение объемной проводимости образца при засветке приконтактной области. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления омического контакта и объема образца, пригодная для высокоомных полупроводников.
展开▼
