ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПРИМЕНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В СКАНИРУЮЩЕМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ

摘要

Представлена конфигурация полупроводниковых детекторов отраженных электронов для сканирующего электронного микроскопа. Переменная ширина колец детектора и их наклонное расположение в плоскости регистрации электронов в несколько раз повышает эффективность детектирования, что позволяет более качественно разделять контраст изображений топографии поверхности и состава изучаемого образца. Вариацией ускоряющего напряжения микроскопа с одновременным выбором соответствующих углов детектирования отраженных электронов можно добиться более четкой сепарации послойных изображений заглубленных под поверхностью деталей микроструктур. Показано, что с помощью полупроводникового детектора при учете его функции отклика (аппаратной функции) можно проводить экспресс-оценки толщин ультратонких пленочных покрытий нанометровых размеров на массивной подложке.