Установка для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках имеет временной диапазон измерений 50 нс-200 мкс, пространственное разрешение 100 мкм, быстродействие 1000 измерений в секунду. Избыточные носители генерируются короткими световыми лазерными импульсами. Приращение концентрации носителей детектируют по изменению поглощения с.в.ч.-мопщости. Безвакуумный криостат оригинальной конструкции прост и удобен в работе. Замена образцов производится за одну минуту. Высокие метрологические характеристики обеспечиваются применением компьютерной регистрации данных, электронного преобразователя время-код и быстрого позиционирующего устройства.
展开▼
