ИСКЛЮЧЕНИЕ СИСТЕМАТИЧЕСКИХ ОШИБОК ИЗМЕРЕНИИ ПРИ ВОЛЬТ-ЕМКОСТНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ГРАНИЦЫ ПОЛУПРОВОДНИК-ДИЭЛЕКТРИК

摘要

Усовершенствованный алгоритм измерений квазистатических вольт-фарадных характеристик (в.ф.х.) структуры металл-диэлектрик-полупроводник включает в себя стадии высокотемпературной деполяризации такой структуры, охлаждения ее под деполяризующим напряжением, регистрации тока I(V{sub}g), протекающего через нее при линейном во времени возрастании и уменьшении потенциала полевого электрода, с последующим усреднением зависимостей I(V{sub}g), зафиксированных соответственно при скорости полевой развертки β{sub}v > 0 и β{sub}v < 0 (β{sub}v = const). Это позволяет исключить систематические погрешности определения в.ф.х. C(V{sub}g), обусловленные релаксационной поляризацией диэлектрика, его утечками и сдвигом "нуля" измерителя тока. В результате повышаются точность и надежность определения плотности пограничных состояний N{sub}(ss)(E) и расширяется энергетический диапазон их наблюдения. Эффективность алгоритма продемонстрирована на примере определения функции N{sub}(ss)(E) в системе SiO{sub}2/(100)Si: P.