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【24h】

発光ダイオードを用いた接触領域内の電流直接観察

机译:使用发光二极管直接观察接触区域中的电流

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摘要

電気接点内部における電流集中の挙動については、従来、ラプラス方程式に基づく理論式や静電場解析による計算結果が報告されている。実際の電流集中の挙動については、接触点全体の接触抵抗を求めた報告例はあるものの、接触点内部における電流密度分布の挙動を観察した例は報告されていない。そこで本研究では、半導体ウエハを用いて接触点内部の電流密度分布の挙動観察を試みた。その結果、酸化被膜の介在する接触点は、電流密度が均一になるのに対し、酸化被膜の介在しない接触点は、外周部分に電流集中が発生することが観察された。これは、過去に報告された理論や静電場解析の結果と傾向がよく一致していることが確認できた。
机译:关于电触点内部的电流集中的行为,迄今为止已经报道了基于基于拉普拉斯方程的理论公式和静电场分析的计算结果。关于电流集中的实际行为,尽管有报道获得整个接触点的接触电阻,但是没有观察到接触点内部的电流密度分布的行为的例子。因此,在这项研究中,我们尝试使用半导体晶圆观察触点内部电流密度分布的行为。结果,观察到与氧化膜的接触点具有均匀的电流密度,而没有氧化膜的接触点在外周部分上具有电流集中。可以肯定的是,这种趋势与过去报道的理论和静电场分析的结果非常吻合。

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