電着ニッケル薄膜を用いた繰返し応力測定法－計測可能な応力と雰囲気温度の検討

摘要

本研究では，まず，高温域の適用範囲を確認するために，ニッケル薄膜の示差走査熱量測定を行い，再結晶温度を調査するとともに，高温環境下で長時間加熱した場合に再結晶が促進されるか電子線後方散乱回折法で解析した．次いで，従来よりも低温域の適用範囲を検討するために，ニッケル薄膜が通常適用される雰囲気温度（175～250℃）よりも低い100℃の雰囲気温度において繰返し負荷試験を実施し，どの程度の最大せん断応力で粒子が成長するか確認した．また，得られた結果を基に，応力測定を行うために必要な最大せん断応力と繰返し数の間の関係（較正式）を導出した．さらに，雰囲気温度を含めた較正式へ発展させるため，200℃の雰囲気温度に対しても同様の関係を調査した．得られた較正式に基づいて，種々の雰囲気温度に対してニッケル薄膜で測定可能な最大せん断応力の範囲を見積もってみた．