ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善

摘要

ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p~+-GaAsSb／i-InAlAs-InGaAsヘテロ接合バックワードダイオードを開発してきた。このGaAsSb系バックワードダイオードはゼロバイアスで動作し、高い検波感度を有することが特徴である。今回は雑音特性に影響を与える接合抵抗（R_j）を低減するため、i-InAlAsバリア層を抜いたp~+-GaAs_(0.51)Sb_(0.49)-In_(0.53)Ga_(0.47)As構造を検討した。94～300GHzの感度はi-In_(0.52)Al_(0.48)Asバリア層を設けた方が高かったが、雑音特性（NEP）はバリア層が無い方が大幅に改善した。NEPの改善はR_Jの低減による効果と考えられる。InP HEMTと集積化した場合、高感度なミリ波およびテラヘルツ波受信器が実現できる。