Si微小電子源とスミス·パーセル放射光応用一微小電子源を用いた新光源の提案一

摘要

我々は先端径20nm以下の高さ．1um程度のSi電界放射陰極（Si-FEA）を半導体微細加工により作製し、その電流放射特性を研究している。 今回真空マイクロ応用とし紫外線からマイクロ波までの高帯域に発振する、Si-FEAを用いたスミス·パーセル放射光を提案し原理実験を行っている。 放射実験には、シングルチップSi－FEAを用い、金属周期構造との相互作用電流200nA，加速電圧35kVの低人力電力においても、紫外線から近赤外飯域において良好な放射光を得るのに成功したので報告する。上記の低入力電力においても、良好な紫外線から近赤外線領域までの放射光を確認出来たので報告する。