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机译:使用能够控制垂直磁各向异性的L1_0-Fe(Pd_xPt_(1-x))合金作为存储层制作FePt基TMR层压膜
机译:使用能够控制垂直磁各向异性的L1_0-Fe(Pd_xPt_(1-x))合金作为存储层制作FePt基TMR层压膜
机译:使用能够控制垂直磁各向异性的L1_0型Fe(Pd_xPt_(1-x))合金制造用于自旋注入写入MRAM的FePt基TMR层压膜
机译:用于旋转注射的备用术TMR层压膜的制备使用能够进行垂直磁各向异性控制的L1_0型Fe(PD_XPT_(1-X))合金写MRAM。
机译:使用L1_0-Fe(PD_XPT_(1-X)合金进行正常磁各向异性控制的备用术TMR层压膜的制备。
机译:垂直磁记录薄膜介质的磁各向异性控制研究
机译:分子束外延制备超薄Fe /氧化物层结构的界面垂直磁各向异性