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【24h】

垂直磁気異方性制御が可能なL1_0-Fe(Pd_xPt_(1-x))合金を記憶層に用いたFePt基TMR積層膜の作製

机译:使用能够控制垂直磁各向异性的L1_0-Fe(Pd_xPt_(1-x))合金作为存储层制作FePt基TMR层压膜

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摘要

一方、我々は昨年、(001)配向したL1_0型FePd規則合金薄膜の形成に成功し、そのH_kがL1_0型FePt規則合金薄膜のH_k(102kOe)と比較して1桁小さい14kOeであることを報告した。本研究では、記憶層として高い規則度を維持しながらH_kを制御することが可能なFe(Pd,Pt)薄膜を用いて、TMR積層膜の作製を試みた。
机译:另一方面,去年我们成功地形成了(001)取向的L1_0型FePd有序合金薄膜,据报道其H_k为14 kOe,比L1_0型FePt有序合金薄膜的H_k(102 kOe)小一个数量级。做到了。在这项研究中,我们尝试使用可控制H_k的Fe(Pd,Pt)薄膜制造TMR层压膜,同时保持高规则性作为存储层。

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