Ренттенодифракционное изучение изменений параметров структурных дефектов, возникающих в кристаллах Cz-Si после их термообработки и нейт

摘要

Методами трёхкристальной дифрактометрии выполнено сравнительное изучение рассеяния рентгеновского излучения облученными нейтронами и эталонными, выращенными по методу Чохральского, кристаллами кремния после их отжига при 850-1050 deg С, Рассчитаны соответствующие значения размеров и концентраций кластеров точечных дефектов и дислокационных петель, которые образуются в процессе распада твердого раствора кислорода и кластеризации радиационных дефектов.