ОЦЕНКА КАЧЕСТВА GAAS-ПОДЛОЖЕК, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

摘要

Методами рентгеновской топографии и высокоразрешающей дифрактометрии исследованы пластины GaAs от различных производителей, применяемые в качестве подложек для эпитаксиального роста при производстве силовых полупроводниковых приборов. Характерными особенностями пластин являются нарушенный поверхностный слой, изгиб и ростовые дислокации двух типов распределения с плотностью (1-2)·10~4 sm~(-2). Определены лучшая и худшая подложки по подготовке рабочей поверхности, а также оптимальное сочетание рентгеновских методов для оценки качества обработки поверхности кристаллов с высоким уровнем поглощения рентгеновских лучей.