Устойчивость системы кристалл-расплав при выращиваниикрупногабаритных кристаллов ниобата лития методомнизкого уровня расплава

摘要

Исследована устойчивость системы кристалл— расплав и скорости кристаллизации по Ляпунову для выращивания кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава. Рассчитаны зависимости времени релаксации от условий выращивания. Построены расчетные графики переходных процессов при различных возмущениях. Показано, что для получения оптически однородных кристаллов необходимо соблюдать условия устойчивости имению скорости кристаллизации, a не системы кристалл -расплав в целом, причем максимум устойчивости скорости кристаллизации достигается при максимальном гpадиенте температуры на фронте кристаллизации и минимальном уровне расплава в тигле.