СТЕКОЛЬНОЕ ПОВЕДЕНИЕ РЕЛАКСАТОРНОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА Cd_2Nb_2O_7 В СЛАБОМ ПОСТОЯННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

摘要

На примере релаксаторной системы Cd_2Nb_2O_7 исследовано температурное поведение диэлектрического отклика ε_(his)(T) на частоте 1 кГц (110 К< Т < 300 К), δ_ε(Т) = [ε_(his)(Т) -ε_(ZFC)(Т)] и параметра порядка д(Т), характеризующего е(Т) в релаксаторном сегнетоэлектрике, для образцов с разными термическими и электрическими историями в постоянном электрическом поле, значительно меньшем поля насыщения поляризации, В слабом поле (E_(dc) = 0.95 kB/cm) в области T_f = 184 К поведение δ_ε(Т) ∝χ_(nl) изменяется, а при более низких температурах кривые ε_(his)(3(T) монотонно расходятся, что указывает на развитие стекольного состояния в системе. Анализ поведения q(Т) в рамках моделей спиновых и дипольных стекол показал, что в фазе, развивающейся ниже Tf, при ZFC- и FH/ZFC-режимах доминирующую роль играют случайные взаимодействия полярных микрообластей в присутствии случайных полей. Относительный вклад случайных полей возрастает при FC-режиме в слабом поле и проявляется при ZFH/FC-режиме как ниже, так и выше Tf.