СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ МИКРОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В СИНГЛЕТНЫХ ПАРАМАГНЕТИКАХ HoVO_4 И HoBa_2Cu_3O_x В СИЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТ

摘要

Проведены сравнительные исследования поглощения микроволнового излучения в импульсных магнитных полях до 40 Тл в области низких температур в тетрагональных синглетных парамагнетиках Но/О4 (структура циркона) и НоВагСизОж (ж я 6, структура слоистого перовскита), для которых характерна синглет-дублетная схема нижних уровней иона Но + в кристаллическом поле Для Но/О4 в магнитном поле вдоль тетрагональной оси кристалла эксперимент обнаруживает ряд резонансных линий поглощения на длинах волн 871, 406, 305 мкм, соответствующих электронным переходам между низколежащими уровнями иона Но3+ в кристаллическом поле Положения и интенсивности наблюдаемых линий поглощения в Но/О4 достаточно хорошо описываются в рамках формализма кристаллического поля с известными параметрами взаимодействия. Для НоВагСизОя на экспериментальных спектрах на длине волны 871 мкм наблюдаются широкие резонансные линии поглощения на фоне сильного нерезонансного поглощения Обсуждается влияние низкосимметричных (орторомбической и моноклинной) компонент кристаллического поля, отклонения магнитного поля от оси симметрии и различных парных взаимодействий на спектры поглощения в кристаллахHoVO_4 И HoBa_2Cu_3O_x.