Методом двухкристаяьной рентгеновской дифрактометрии определены структурны параметры отдельных слоев образцов от псевдоморфной гетерокомнозиции Al_xGa_(1-x)As/In_yGa_(1-y)As/GaAs. Установлена взаимосвязь технологических параметров изготовления гетерокомпозиции с их структурными и электрофизическими свойствами, Увеличение подвижности двумерного электронного газа в исследуемых образцах, обусловленное повышением температуры роста спеисерного слоя Al_xGa_(1-x)As и понижением времени 5-легирования кремнием с двух сторон квантовой ямы, хорошо коррелирует со степенью совершенства их кристаллической структуры.
展开▼