ВЛИЯНИЕ МОДИФИЦИРОВАНИЯ ОКСИДОМ ИНДИЯ НА ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРУ ГИДРОКСИЛЬНОГО ПОКРОВА И ЭЛЕКТРОНОАКЦЕПТОРНЫЕ СВОЙСТВА ДИОКСИДА Ц

摘要

Исследование" влияние модифицирования оксидом индия на кристаллическую модификацию, гид-роксильиый покров и электроноакцепторные свойства диоксида циркония. Показано, что путем такого модифицирования могут быть получены сложные бинарные системы с высокой термической стабильностью фазы тетрагонального ZrO_2. Концентрация In~(3+) в решетке ZrO_2 слабо зависит от общего содержания In_2O_3 в системе, основная часть введенного оксида иидия локализуется в виде собственной реитгеноаморфной фазы в межкристаллитных промежутках. Формирующаяся фаза In_2O_3 в этих системах не покрывает поверхность ZrO_2, а локализуется преимущественно в межкри-сталлитном пространстве. Присутствие модифицирующего компонента оказывает воздействие на преимущественное кристаллографическое направление и дефектность формирующейся поверхности. Показано, что модифицирование влияет на структуру гидроксильного покрова и электроноакцепторные свойства диоксида циркония.