首页> 外文期刊>Кристаллография >ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ Bi_(12)GeO_(20) И Bi_(12)SiO_(20) НИЗКОГРАДИЕНТНЫ М МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО
【24h】

ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ Bi_(12)GeO_(20) И Bi_(12)SiO_(20) НИЗКОГРАДИЕНТНЫ М МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО

机译:乔尔斯基法在晶体Bi_(12)GeO_(20)和Bi_(12)SiO_(20)低梯度中的生长

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Впервые выращены кристаллы Bi_(12)SiO_(20) низкоградиентным методом Чохрanьского в направлениях <111> и <110>. Найдены условии воспроизводимого получения кристаллов с полиэдрическим гранным фронтом хорошего качества. Сопоставлёны закономерности формообразования кристаллов Bi_(12)SiO_(20) и Bi_(12)Ge0_(20), выращенных низкоградиентным методом Чохральского. Изучено дефектообразование в этих кристаллах. Пригодятся результаты интерфарометрического изучения оптической однородности.
机译:通过低梯度Czochranski法在<111>和<110>方向上首次生长晶体Bi_(12)SiO_(20)。找到了可再生生产具有良好质量的多面切面正面的条件。比较了通过低梯度直拉法生长的Bi_(12)SiO_(20)和Bi_(12)Ge0_(20)晶体的形成规律。已经研究了这些晶体中的缺陷形成。光学均匀性的相间研究的结果将是有用的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号