Развита динамическая распределенная диффузионно-дрейфовая модель лазерных гетероструктур, учитывающая процессы захвата носителей в квантовые ямы. Проведены расчеты токов утечки в режиме генерации в различных лазерных структурах InGaAs/GaAs (длина волны излучения λ = 0.98 мкм), InGaAsP/InP (λ = 1.3 мкм) и InGaAs/InP (λ = 1.55 мкм) без широкозонных эмиттеров. Показано, что учет конечного времени захвата носителей заряда принципиально важен для расчета структур с глубокими квантовыми ямами. Отношение токов утечки к полному току в структурах с глубокими квантовыми ямами (InGaAsP/InP, InGaAs/InP) возрастает с ростом тока инжекции и при многократном превышении порога лазерной генерации может составлять несколько процентов.
展开▼
