Некоторые особенности формирования нанометровых нитевидных кристаллов на подложках GaAs(100) методом МПЭ

摘要

Проведено исследование процесса формирования нанометровых нитевидных кристаллов (ННК) иа поверхности GaAs(100) методом молекулярно-пучковой эггатаксии. Обнаружено существование начальной и развитой стадий роста ННК с двумя различными типами поверхностной морфологии - "зародышевых" и "проросших" ННК. Установлено, что на развитой стадии преимущественно формируются "проросшие" ННК, которые ориентированы в направлениях (111)В и огранены поверхностями (110) (включая верхнюю оконечность ННК), а в поперечном сечении образуют шестигранник с характерными размерами 50-300 шп. Обнаружено, что поперечный размер шестигранника может существенно отличаться от размеров капель AuGaAs. Соотношение продольных и поперечных размеров "проросших" ННК может достигать величин порядка 150 и более. Следует отметить, что при превышении поперечными размерами нанометровых нитевидных кристаллов величины примерно 200 пт наблюдается слабое уменьшение их длины. Наличие двух типов морфологии поверхности с ННК указывает на неоднородный характер роста ННК на поверхности GaAs(100) в зависимости от размеров капель катализатора, эффективной толщины осаждаемого слоя СаАз и температуры роста.