Исследован процесс увеличения поглощения полупроводником света с энергией кванта, несколько меньшей ширины запрещенной зоны полупроводника или равной ей, в присутствии сильной световой волны, для которой полупроводник прозрачен. Продемонстрирована возможность создания принципиально новых приемников излучения, предназначенных для измерения энергетических и пространственно-временных характеристик излучения мощных лазеров, генерирующих в ИК диапазоне.
展开▼
