Генерация излучения на разностной частоте в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия *

摘要

Рассмотрена возможность эффективной генерации излучения на разностной частоте в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия, выращенном на германиевой подложке. Показано, что в лазере с шириной волновода 100 мкм при мощностях мод излучения ближнего ИК диапазона 1 Вт мощность излучения на разностной частоте в области 5-50 ТГц может достигать ～ 40 мкВт при комнатной температуре.