首页> 外文期刊>Квантовая электроника: Ежемес. журн. >Мощность полупроводникового лазера гребневого типа в одночастотном режиме генерации
【24h】

Мощность полупроводникового лазера гребневого типа в одночастотном режиме генерации

机译:单频激光模式的脊型半导体激光功率

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Показано, что для типичных значений параметров полупроводникового лазера со встроенным горизонтальным волноводом существует ограничение сверху на выходную мощность, при которой возможна одночастотная лазерная генерация. Это ограничение обусловлено изменением эффективного усиления для продольных мод, спектрально близких к лазерной моде, вследствие нелинейного процесса, при котором возникают осцилляции концентрации носителей на межмодовых частотах. При наличии в резонаторе лазера случайных или намеренно внесённых неоднородностей, максимально достижимая мощность в одночастотном режиме генерации может значительно (более чем на порядок) превышать соответствующую величину для лазера без неоднородностей.
机译:结果表明,对于具有内置水平波导的半导体激光器的参数的典型值而言,单频激光发射的输出功率存在上限。该限制是由于非线性过程导致载流子浓度的振荡出现在模间频率上而引起的,该变化是在光谱上接近激光模的纵向模的有效增益发生变化的。在激光腔中存在随机或故意引入的不均匀性的情况下,单频激射方案中可达到的最大功率可能会大大超过一个数量级(超过一个数量级),而不会出现不均匀性的激光器。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号