Исследуется влияние профилей плртности тока и градиента давления в пьедестале на достижение режимов, свободных от периферийных срывов (Edge Localized Modes - ELM), типа Quiescent H-mode в ИТЭР. При помощи симулятора МГД-мод, локализованных на границе плазменного шнура, на основе кода KINX проведены расчеты диаграмм устойчивости ELM для сценариев 2 и 4 плазмы ИТЭР при изменении профилей плотности и температуры плазмы и соответствующей плотности бутстреп-тока в области пьедестала. Показано, что низкие величины градиента давления на сепаратрисе, совпадение положения пьедесталов плотности и температуры плазмы, а также высокие значения полоидального бета способствуют достижению большой плотности тока в пьедестале и возможному переходу в режим с насыщенными крупномасштабными винтовыми модами. Новая версия симулятора локализованных МГД-мод дает возможность рассчитывать инкременты идеальных пилинг-баллонных мод с различными тороидальными волновыми числами и находить область устойчивости с учетом диамагнитной стабилизации. Расчеты д иаграмм устойчивости ELM и исследования чувствительности области устойчивости к величине диамагнитной частоты показали, что диамагнитная стабилизация мод с высокими значениями тороидального волнового числа может способствовать переходу в режим Quiescent H-mode при высокой плотности плазмы, но только при низких величинах градиента давления на сепаратрисе. Предельное давление на вершине пьедестала растет с увеличением плотности в этой точке. При плоском профиле плотности доступ в режим Quiescent H-mode остается закрытым даже с учетом диамагнитной стабилизации, но тороидальные волновые числа наиболее неустойчивых пилинг-баллонных мод снижаются в несколько раз: с n = 10-40 до n = 3-20.
展开▼
