第2世代 低損失SJ-MOSFET「Super J MOS S2シリーズ」

摘要

エネルギーを効率的に利用するために，電力変換機器にはよりいっそうの高効率化が求められており，これらに搭載されるパワーMOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor．Field-Effect Transistor）には，小型で低損失·低ノイズの製品が求められている。富士電機は，単位面積で規格化されたオン抵抗R_(on)·Aを低減し，かつターンオフスイッチング損失E_(off)とターンオフスイッチング時のV_(DS)サージのトレードオフ特性を改善した，低損失で使いやすい第2世代低損失SJ-MOSFET「Super J MOS S2シリーズ」を開発した。本製品を使用することで,電力変換機器の効率向上が期待できる。