陽電子が視つけた水素吸蔵に伴う原子空孔生成

摘要

陽電子寿命測定による物質中の格子欠陥研究ほ，極めて高感度にその場測定が可能であり，しかも各欠陥種とその濃度を独立に求めることができるという画期的な特長を有する。 これらの特長は，陽電子が物質を構成する電子の反粒子である点に起因することを考えれば，陽電子はこの分野における究極のプローブと考えられ，この方面での陽電子の重要性は今後ますます増大することが予想される。 ここで紹介した結果は，水素吸蔵合金の特性研究においても，陽電子がプローブとして大変有用であることを明瞭に示している．今後は，水素吸放出時の陽電子寿命その場測定を通じて，吸蔵·放出にみられるヒステリシス現象，繰り返し使用による性能劣化現象,水素誘起アモルファス化現象等，水素による固溶媒体の構造変化メカニズムの原子スケールでの解明に一役買いたいと願っている。