新たな半導体材料としての高純度金属

摘要

本稿で紹介した事例にみられるようにシリサイド半導体の諸物性が金属原料の純度に敏感であることは明らかである。 特に不純物添加によるキャリア密度制御（フエルミ準位制御）は素子化には大きなマージンをもつ必要がある。 そのためにも，制御できない残留不純物を極力減らすために高純度金属原料が必要となる。 一色らは，半導体利用を考えた鉄の高純度化プロセス（溶媒抽出ーイ才ン交換精製-水素還元－プラズマ溶解-電子ピーム溶解）を開発し，純度5N5以上，RRR_H＞5000の高純度鉄の製造を可能にしている。 シリサイド半導体の進展のためには，こうした5N5純度を越えた高純度金属原料のより一層の開発が望まれる。