Торможение рекристаллизационных процессов в системе TiC-SiC

摘要

Карбид кремния в композиции TiC-SiC оказывает значительное влияние на формирование микроструктуры керамики при спекании и горячем прессовании, экранируя зерна матричной фазы карбида титана путем массопереноса через газовую фазу и последующей конденсации. Введение модифицирующей добавки SiC тормозит процесс собирательной рекристаллизации. Изменением состава и технологических параметров синтеза керамических материалов TiC-SiC возможно регулировать их микроструктуру, получать заданные электрофизические и физико-механические свойства керамики.