入力および出力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器

摘要

GaN高出力増幅器の効率向上を目的として，短ゲートGaN-HEMTの出力側および入力側の両方に2倍波処理を施したX帯GaN高出力増幅器を開発した．2倍波処理回路として入力側にはキャパシタと伝送線路からなる並列共振型の回路を，また出力側には先端開放スタブと伝送線路からなる回路を用いることで，比帯域幅8％にて出力電力23-25W，電力付加効率56％の世界最高レベルの特性を得た．