2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器

摘要

GaN HEMTを用いた2倍波抑圧回路を有する高出力高効率MMIC増幅器について報告する．小型なGaN HEMT MMIC増幅器を試作した結果，4mm×4mmの小さなチップサイズでX帯で20W以上の出力電力，14dB以上の動作利得，43%以上の電力負荷効率が得られた．さらに提案する高調波処理回路によって2次高調波レベルを-45.3dBcへと抑え込むことに成功した．