Новая микросхема базового матричного кристалла АБМК-2.1 для проектирования радиационно-стойких аналоговых и аналого-цифровых интерфейсов датчиковых систем

摘要

Рассмотрен новый базовый матричный кристалл (БМК) АБМК-2.1 и возможности проектирования на его основе интегральных схем (ИС) аналоговой обработки сигналов датчиков. Для увеличения радиационной стойкости создаваемых ИС в качестве активных элементов БМК применены вертикальные n-p-n- и p-n-p-биполярные транзисторы (БТ) с граничной частотой, превышающей 1,5 ГГц и полевые транзисторы с p-n-переходом и каналом p-типа (p-ПТП). Обоснован выбор технологического маршрута изготовления БМК, описано изменение параметров разработанных БТ при воздействии потока электронов с энергией 4 МэВ и гамма-излучения ~(60)Co, показана упрощенная топология макроячейки и кристалла БМК, приведен пример реализации на одной макроячейке операционного усилителя.