エッジ型強磁性トンネル接合

摘要

スピンエレクトロニクス分野において、スピン注入磁化反転が注目されている。 現状のスピン注入磁化反転には、10{sup}6A/cm{sup}2以上の高電流密度が必要となる。 また、磁化反転電流低減及び高集積化のためMTJの面積を小さくすることが望まれる。 形状異方性を持たせるために細長い形状のMTJが広く用いられているが、その場合はセルサイズが大きくなる。本発表ではセルサイズを大きくせずに小面積MTJの形成を可能にするエッジ型強磁性トンネル接合（エッジMTJ）を提案し、作製方法を検討した結果を報告する。